SM2262EN SSD控制芯片也获得了金士顿的采用,其推出了面向消费者、高级用户和企业的新一代SSD KC2000,使用慧荣科技SM2262EN主控芯片,搭配的是96层的3D TLC NAND,是一款支持M.2 NVMe PCIe的SSD,提供的读写速度,能够有效改善桌面、工作站和高性能计算系统的运行速度。
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为了扭转供过于求的市场现状,继西部数据在2018年底减缓投资后,美光、SK海力士、英特尔纷纷宣布减少NAND Flash或DRAM产出量。在市场供过于求的市况下,三星虽然未明确表态要减产,但是2019年Q1资本支出已减半,更表明2019年将是芯片产业艰难的一年。
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另外,随着移动数据存储需求的增加,移动SSD市场需求也在不断升温,慧荣科技针对高性能移动存储设备的SM3282主控芯片,支持 一代的96层QLC NAND,也是采用单芯片USB 3.2接口的移动SSD控制器解决方案,连续读取速度可达440MB/s以上,连读写入速度可达430MB/s以上。
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三星对相关报导进行回应,表示对第二条产线的第二阶段投资额尚未确定,将视市况而定。据悉,三星西安厂主要用于生产3D NAND,曾在2017年宣布,未来三年将对西安厂投资70亿美元,第二阶段投资将于2019年7月份完成,2020年1季度开始投产。但三星现已表明尚未决定对西安厂二期工厂进行额外投资。
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